酸化移流スペクトル（さんか いりゅう すぺくとる）
最終更新：2026/4/24
酸化移流スペクトルは、金属酸化物半導体中のキャリア寿命を評価するための測定手法である。
別名・同義語 トラップ準位分光法酸化膜欠陥分光法
ポイント
この手法は、半導体デバイスの信頼性評価や材料特性の解析に利用される。キャリア寿命はデバイス性能に大きく影響するため、重要な指標となる。
酸化移流スペクトルとは
酸化移流スペクトル（Oxide Trapping Spectroscopy, OTS）は、金属酸化物半導体（主にシリコン酸化膜）中の欠陥準位（トラップ準位）を評価するための電気的測定手法である。半導体デバイスの性能や信頼性に影響を与える酸化膜中の欠陥を解析するために用いられる。
測定原理
酸化移流スペクトル測定では、まず酸化膜に電荷を注入し、その電荷が時間とともにどのように減少するかを測定する。酸化膜中の欠陥準位は、注入された電荷を捕捉（トラップ）する働きがあるため、電荷の減少速度は欠陥準位の密度やエネルギー準位に依存する。この電荷減少のスペクトルを解析することで、酸化膜中の欠陥準位の分布を明らかにすることができる。
測定方法
酸化移流スペクトル測定には、様々な測定方法が存在する。代表的なものとしては、以下のものが挙げられる。
- 定常電流法: 一定の電流を酸化膜に流し、その電圧変化を測定する。
- 定電圧法: 一定の電圧を酸化膜に印加し、その電流変化を測定する。
- 容量-電圧法: 酸化膜の容量と電圧の関係を測定する。
応用例
酸化移流スペクトルは、以下の分野で応用されている。