ECNマーキング（えしーえんまるきんぐ）
最終更新：2026/4/28
ECNマーキングは、半導体製造工程において、ウェハ上に回路パターンを形成するために用いられるフォトリソグラフィー技術の一種である。
別名・同義語 電子ビームマーキングE-beamマーキング
ポイント
ECNマーキングは、特に微細なパターン形成が必要な場合に有効であり、高集積度な半導体デバイスの製造に不可欠な技術である。
ECNマーキングとは
ECNマーキング（Electron-beam-induced current marking）は、電子ビームを用いて半導体ウェハ上に微細なマークを形成する技術です。フォトリソグラフィー工程において、ウェハの位置合わせや検査を容易にするために用いられます。従来の光学的なアライメント方法では、微細なパターンを正確に位置合わせすることが困難でしたが、ECNマーキングを用いることで、より高精度な位置合わせが可能になります。
ECNマーキングの原理
ECNマーキングは、電子ビームをウェハ表面に照射することで、半導体材料の電気的特性を変化させ、電流の流れを制御する原理に基づいています。電子ビームが照射された箇所では、材料の結晶構造が変化し、抵抗値が変化します。この抵抗値の変化を検出することで、微細なマークを形成することができます。
ECNマーキングの応用
ECNマーキングは、主に以下の用途に用いられます。
- ウェハアライメント: フォトリソグラフィー工程において、ウェハとマスクを正確に位置合わせするために使用されます。
- ウェハ検査: ウェハ上の欠陥や不良箇所を特定するために使用されます。
- 製品識別: 各チップに固有の識別情報を記録するために使用されます。
ECNマーキングの課題
ECNマーキングは、高精度な位置合わせや検査を可能にする一方で、いくつかの課題も存在します。